MMUN2233LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	250mV @ 300µA, 10mA
晶體管類型:	NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:	SOT-23-3 (TO-236)
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	47k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	4.7k
功率 - 最大:	246mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安裝類型:	Surface Mount
頻率 - 轉換:	-
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	80 @ 5mA, 10V
電流 - 集電極截止（最大）:	500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA

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如果是我們的，我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。

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