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NTD70N03R-001

NTD70N03R-001
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購買流程

VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:I-Pak
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:8 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散(最大):1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1333pF @ 20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:13.2nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
漏極至源極電壓(Vdss):25V
電流 - 25°C連續排水(Id):10A (Ta), 32A (Tc)


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