NTMD6601NR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
NTMD6601NR2G.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	3V @ 250µA
供應商設備封裝:	8-SOIC
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	215 mOhm @ 2.2A, 10V
功率 - 最大:	600mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	400pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	15nC @ 10V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	80V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	1.1A

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