AON6596

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	8-DFN (5x6)
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	7.5 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散（最大）:	5W (Ta), 41W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerSMD, Flat Leads
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1150pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	30nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	20A (Ta), 35A (Tc)

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