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VGS(TH)(最大)@標識: | 2V @ 250µA |
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Vgs(最大): | +16V, -12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-VSON-CLIP (5x6) |
系列: | NexFET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1.9 mOhm @ 30A, 10V |
功率耗散(最大): | 3.2W (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-PowerTDFN |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3650pF @ 12.5V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 21nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 25V |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 34A (Ta), 100A (Tc) |