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CSD16414Q5

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購買流程

VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 250µA
Vgs(最大):+16V, -12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-VSON-CLIP (5x6)
系列:NexFET™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:1.9 mOhm @ 30A, 10V
功率耗散(最大):3.2W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerTDFN
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:3650pF @ 12.5V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:21nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):25V
電流 - 25°C連續排水(Id):34A (Ta), 100A (Tc)


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如果是我們的,我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。
如果是您的,客戶將對它負有責任。有關詳細信息,請與我們的客戶服務或銷售聯繫。