SI8261BAC-C-ISR

Energy Micro (Silicon Labs)
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
無鉛/符合RoHS
隔離
SI8261BAC-C-ISR.pdf

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電壓 - 電源:	6.5 V ~ 30 V
電壓 - 隔離:	3750Vrms
電壓 - 正向（Vf）（典型值）:	2.8V (Max)
技術:	Capacitive Coupling
供應商設備封裝:	8-SOIC
系列:	Automotive, AEC-Q100
上升/下降時間（典型值）:	5.5ns, 8.5ns
脈衝寬度失真（Max）:	28ns
傳播延遲tpLH / tpHL（最大）:	60ns, 50ns
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:	-40°C ~ 125°C
通道數:	1
安裝類型:	Surface Mount
電流 - 峰值輸出:	4A
電流 - 輸出高，低:	500mA, 1.2A
電流 - 直流正向（If）（最大）:	30mA
共模瞬態抗擾度（Min）:	35kV/µs
認證:	CQC, CSA, UR, VDE

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