FGD5T120SH

Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
FGD5T120SH.pdf

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	1200V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	3.6V @ 15V, 5A
測試條件:	600V, 5A, 30 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	4.8ns/24.8ns
開關能量:	247µJ (on), 94µJ (off)
供應商設備封裝:	DPAK
系列:	-
功率 - 最大:	69W
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	Trench Field Stop
柵極電荷:	6.7nC
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	12.5A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	10A

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