J112_D26Z

Fairchild/ON Semiconductor
JFET N-CH 35V 625MW TO92
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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電壓 - 截止（VGS關閉）@標識:	1V @ 1µA
電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:	35V
供應商設備封裝:	TO-92-3
系列:	-
電阻 - RDS（ON）:	50 Ohm
功率 - 最大:	625mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	-
FET型:	N-Channel
漏極至源極電壓（Vdss）:	-
電流 - 漏極（範圍Idss）@ Vds的（VGS = 0）:	5mA @ 15V

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