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IXFC52N30P

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VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 4mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:ISOPLUS220™
系列:PolarHT™ HiPerFET™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:75 mOhm @ 26A, 10V
功率耗散(最大):100W (Tc)
封装:Bulk
封裝/箱體:ISOPLUS220™
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:3490pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:110nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
漏極至源極電壓(Vdss):300V
電流 - 25°C連續排水(Id):24A (Tc)


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