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VGS(TH)(最大)@標識: | 5V @ 4mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | ISOPLUS220™ |
系列: | PolarHT™ HiPerFET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 75 mOhm @ 26A, 10V |
功率耗散(最大): | 100W (Tc) |
封装: | Bulk |
封裝/箱體: | ISOPLUS220™ |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3490pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 110nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
漏極至源極電壓(Vdss): | 300V |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 24A (Tc) |