MUBW10-06A6K

IXYS Corporation
MODULE IGBT CBI E1
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	3.3V @ 15V, 10A
供應商設備封裝:	E1
系列:	-
功率 - 最大:	50W
封裝/箱體:	E1
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC熱敏電阻:	Yes
安裝類型:	Chassis Mount
輸入電容（連鎖商店）@的Vce:	0.22nF @ 25V
輸入:	Three Phase Bridge Rectifier
IGBT類型:	NPT
電流 - 集電極截止（最大）:	65µA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	11A
組態:	Three Phase Inverter with Brake