AUIRF7303Q

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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VGS（TH）（最大）@標識:	3V @ 100µA
供應商設備封裝:	8-SO
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	50 mOhm @ 2.7A, 10V
功率 - 最大:	2.4W
封装:	Tube
封裝/箱體:	8-SOIC
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	515pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	21nC @ 10V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	5.3A

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如果是您的，客戶將對它負有責任。有關詳細信息，請與我們的客戶服務或銷售聯繫。

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