VGS(TH)(最大)@標識: | 3V @ 250µA |
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供應商設備封裝: | 8-SO |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
功率 - 最大: | 2W |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | 8-SOIC |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 650pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 33nC @ 10V |
FET型: | N and P-Channel |
FET特點: | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 6.5A, 4.9A |