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BCR196WH6327XTSA1

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電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 500µA, 10mA
晶體管類型:PNP - Pre-Biased
供應商設備封裝:PG-SOT323-3
系列:-
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆):22k
電阻 - 基(R 1)(歐姆):47k
功率 - 最大:250mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SC-70, SOT-323
安裝類型:Surface Mount
頻率 - 轉換:150MHz
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:50 @ 5mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):100nA (ICBO)
電流 - 集電極(Ic)(最大):70mA


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如果是我們的,我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。
如果是您的,客戶將對它負有責任。有關詳細信息,請與我們的客戶服務或銷售聯繫。