BSD223P

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
BSD223P.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	1.2V @ 1.5µA
供應商設備封裝:	PG-SOT363-6
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V
功率 - 最大:	250mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	56pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	0.62nC @ 4.5V
FET型:	2 P-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	390mA

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