BTS282ZE3180AATMA2

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
BTS282ZE3180AATMA2.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	2V @ 240µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO263-7-1
系列:	TEMPFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	6.5 mOhm @ 36A, 10V
功率耗散（最大）:	300W (Tc)
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
工作溫度:	-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	4800pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	232nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	Temperature Sensing Diode
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	4.5V, 10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	49V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	80A (Tc)

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