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IPD33CN10NGBUMA1

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購買流程

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 29µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO252-3
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:33 mOhm @ 27A, 10V
功率耗散(最大):58W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1570pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:24nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
漏極至源極電壓(Vdss):100V
電流 - 25°C連續排水(Id):27A (Tc)


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