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IPD50R3K0CEBTMA1

IPD50R3K0CEBTMA1
價格:
US$ 0.17
數量:
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價格
2500 $0.169
5000 $0.158
12500 $0.148
25000 $0.14
62500 $0.137
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購買流程

VGS(TH)(最大)@標識:3.5V @ 30µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO252-3
系列:CoolMOS™ CE
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:3 Ohm @ 400mA, 13V
功率耗散(最大):18W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:84pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:4.3nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):13V
漏極至源極電壓(Vdss):500V
電流 - 25°C連續排水(Id):1.7A (Tc)


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如果是我們的,我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。
如果是您的,客戶將對它負有責任。有關詳細信息,請與我們的客戶服務或銷售聯繫。