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IPD60R600CPBTMA1

部件號IPD60R600CPBTMA1這是常用部件嗎? :是的
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購買流程

VGS(TH)(最大)@標識:3.5V @ 220µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO252-3
系列:CoolMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:600 mOhm @ 3.3A, 10V
功率耗散(最大):60W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:550pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:27nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
漏極至源極電壓(Vdss):600V
電流 - 25°C連續排水(Id):6.1A (Tc)


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