IPP037N06L3GXKSA1

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
IPP037N06L3GXKSA1.pdf

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價格
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VGS（TH）（最大）@標識:	2.2V @ 93µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO-220-3
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	3.7 mOhm @ 90A, 10V
功率耗散（最大）:	167W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-220-3
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	13000pF @ 30V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	79nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
漏極至源極電壓（Vdss）:	60V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	90A (Tc)