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IPP100N06S3-03

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VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 230µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO220-3-1
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:3.3 mOhm @ 80A, 10V
功率耗散(最大):300W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:21620pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:480nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
漏極至源極電壓(Vdss):55V
電流 - 25°C連續排水(Id):100A (Tc)


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