VGS(TH)(最大)@標識: | 2.4V @ 50µA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DIRECTFET™ SQ |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 4.9 mOhm @ 17A, 10V |
功率耗散(最大): | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | DirectFET™ Isometric SQ |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1570pF @ 13V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
漏極至源極電壓(Vdss): | 25V |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 17A (Ta), 68A (Tc) |