IRF8915TR

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
包含鉛/ RoHS不兼容
分立半導體產品
IRF8915TR.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 250µA
供應商設備封裝:	8-SO
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
功率 - 最大:	2W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	540pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	7.4nC @ 4.5V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	8.9A

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