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IRFS3806PBF

IRFS3806PBF
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購買流程

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 50µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:D2PAK
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:15.8 mOhm @ 25A, 10V
功率耗散(最大):71W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1150pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:30nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
漏極至源極電壓(Vdss):60V
電流 - 25°C連續排水(Id):43A (Tc)


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如果是我們的,我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。
如果是您的,客戶將對它負有責任。有關詳細信息,請與我們的客戶服務或銷售聯繫。