DTD713ZMT2L

LAPIS Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	30V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	300mV @ 2.5mA, 50mA
晶體管類型:	NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:	VMT3
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	10k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	1k
功率 - 最大:	150mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SOT-723
安裝類型:	Surface Mount
頻率 - 轉換:	260MHz
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	140 @ 100mA, 2V
電流 - 集電極截止（最大）:	500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	200mA

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