| 寫週期時間 - 字，頁: | 15ns |
|---|---|
| 電壓 - 電源: | 2.5 V ~ 2.7 V |
| 技術: | SDRAM - DDR |
| 系列: | - |
| 工作溫度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 濕度敏感度（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 內存類型: | Volatile |
| 內存大小: | 512Mb (128M x 4) |
| 內存接口: | Parallel |
| 內存格式: | DRAM |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 詳細說明: | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 700ps |
| 時鐘頻率: | 200MHz |
| 訪問時間: | 700ps |
MT46V128M4BN-75:D
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA
MT46V128M4BN-6:D TR
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA
MT46V128M4FN-6:F TR
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA
MT46V128M4FN-5B:F TR
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
MT46V128M4FN-6:D TR
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA
MT46V128M4BN-75:D TR
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA
MT46V128M4FN-5B:D TR
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
MT46V128M4BN-6:F
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA
MT46V128M4FN-5B:D
MT46V128M4BN-6:F TR
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA
