VGS(TH)(最大)@標識: | 2.4V @ 1mA |
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Vgs(最大): | +25V, -10V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝: | TO-247 |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 45 mOhm @ 60A, 20V |
功率耗散(最大): | 556W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-247-3 |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3950pF @ 700V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 220nC @ 20V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 20V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 700V |
詳細說明: | N-Channel 700V 110A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 110A (Tc) |