APT80GP60J

Microsemi
IGBT 600V 151A 462W SOT227
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.7V @ 15V, 80A
供應商設備封裝:	ISOTOP®
系列:	POWER MOS 7®
功率 - 最大:	462W
封裝/箱體:	ISOTOP
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC熱敏電阻:	No
安裝類型:	Chassis Mount
輸入電容（連鎖商店）@的Vce:	9.84nF @ 25V
輸入:	Standard
IGBT類型:	PT
電流 - 集電極截止（最大）:	1mA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	151A
組態:	Single

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