APTC60AM45B1G

Microsemi
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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VGS（TH）（最大）@標識:	3.9V @ 3mA
供應商設備封裝:	SP1
系列:	CoolMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	45 mOhm @ 24.5A, 10V
功率 - 最大:	250W
封装:	Bulk
封裝/箱體:	SP1
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Chassis Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	7200pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	150nC @ 10V
FET型:	3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
FET特點:	Standard
漏極至源極電壓（Vdss）:	600V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	49A

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