APTGT200A170D3G

Microsemi
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	1700V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.4V @ 15V, 200A
供應商設備封裝:	D3
系列:	-
功率 - 最大:	1250W
封裝/箱體:	D-3 Module
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC熱敏電阻:	No
安裝類型:	Chassis Mount
輸入電容（連鎖商店）@的Vce:	17nF @ 25V
輸入:	Standard
IGBT類型:	Trench Field Stop
電流 - 集電極截止（最大）:	5mA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	400A
組態:	Half Bridge

如果您犯了錯誤的組成部分，那麼您將研究誰將對此問題承擔責任。

如果是我們的，我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。

如果是您的，客戶將對它負有責任。有關詳細信息，請與我們的客戶服務或銷售聯繫。