APTGT75DA120D1G

Microsemi
IGBT 1200V 110A 357W D1
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
APTGT75DA120D1G.pdf

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	1200V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.1V @ 15V, 75A
供應商設備封裝:	D1
系列:	-
功率 - 最大:	357W
封裝/箱體:	D1
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC熱敏電阻:	No
安裝類型:	Chassis Mount
輸入電容（連鎖商店）@的Vce:	5345nF @ 25V
輸入:	Standard
IGBT類型:	Trench Field Stop
電流 - 集電極截止（最大）:	4mA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	110A
組態:	Single