APTM10DHM09TG

Microsemi
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
APTM10DHM09TG.pdf

部件＃APTM10DHM09TG可用，參閱APTM10DHM09TG的說明如下。
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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 2.5mA
供應商設備封裝:	SP4
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	10 mOhm @ 69.5A, 10V
功率 - 最大:	390W
封装:	Bulk
封裝/箱體:	SP4
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Chassis Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	9875pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	350nC @ 10V
FET型:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特點:	Standard
漏極至源極電壓（Vdss）:	100V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	139A