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PDTC123TMB,315

PDTC123TMB,315
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電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:150mV @ 500µA, 10mA
晶體管類型:NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:3-DFN1006B (0.6x1)
系列:-
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆):-
電阻 - 基(R 1)(歐姆):2.2k
功率 - 最大:250mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:3-XFDFN
安裝類型:Surface Mount
頻率 - 轉換:230MHz
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:30 @ 20mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):1µA
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA


如果您犯了錯誤的組成部分,那麼您將研究誰將對此問題承擔責任。
如果是我們的,我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。
如果是您的,客戶將對它負有責任。有關詳細信息,請與我們的客戶服務或銷售聯繫。