電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
---|---|
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 150mV @ 500µA, 10mA |
晶體管類型: | NPN - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | 3-DFN1006B (0.6x1) |
系列: | - |
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | - |
電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 2.2k |
功率 - 最大: | 250mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 3-XFDFN |
安裝類型: | Surface Mount |
頻率 - 轉換: | 230MHz |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 30 @ 20mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 1µA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |