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電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA |
晶體管類型: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝: | SOT-666 |
系列: | - |
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | 47k |
電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 4.7k, 22k |
功率 - 最大: | 300mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SOT-563, SOT-666 |
安裝類型: | Surface Mount |
頻率 - 轉換: | - |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 1µA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |