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PUMD10,115

PUMD10,115
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購買流程

電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:100mV @ 250µA, 5mA
晶體管類型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:6-TSSOP
系列:-
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆):47k
電阻 - 基(R 1)(歐姆):2.2k
功率 - 最大:300mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安裝類型:Surface Mount
頻率 - 轉換:230MHz
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:100 @ 10mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):100nA (ICBO)
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA


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如果是您的,客戶將對它負有責任。有關詳細信息,請與我們的客戶服務或銷售聯繫。