RN2107CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	20V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	150mV @ 250µA, 5mA
晶體管類型:	PNP - Pre-Biased
供應商設備封裝:	CST3
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	47k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	10k
功率 - 最大:	50mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SC-101, SOT-883
安裝類型:	Surface Mount
頻率 - 轉換:	-
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	120 @ 10mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:	500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	50mA

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