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RN4910,LF

RN4910,LF
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購買流程

電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 250µA, 5mA
晶體管類型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:US6
系列:-
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆):-
電阻 - 基(R 1)(歐姆):4.7k
功率 - 最大:200mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安裝類型:Surface Mount
頻率 - 轉換:200MHz
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:120 @ 1mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):100nA (ICBO)
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA


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如果是我們的,我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。
如果是您的,客戶將對它負有責任。有關詳細信息,請與我們的客戶服務或銷售聯繫。