RN4982FE,LF(CB

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	300mV @ 250µA, 5mA
晶體管類型:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:	ES6
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	10k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	10k
功率 - 最大:	100mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SOT-563, SOT-666
安裝類型:	Surface Mount
頻率 - 轉換:	250MHz
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	50 @ 10mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA

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