SSM6N7002BFE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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價格
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8000	$0.05
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VGS（TH）（最大）@標識:	3.1V @ 250µA
供應商設備封裝:	ES6
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	2.1 Ohm @ 500mA, 10V
功率 - 最大:	150mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SOT-563, SOT-666
工作溫度:	150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	17pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	-
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	60V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	200mA