VS-50MT060WHTAPBF

Vishay / Semiconductor - Diodes Division
IGBT 600V 114A 658W MTP
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	3.2V @ 15V, 100A
供應商設備封裝:	MTP
系列:	-
功率 - 最大:	658W
封裝/箱體:	12-MTP Module
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC熱敏電阻:	No
安裝類型:	Chassis Mount
輸入電容（連鎖商店）@的Vce:	7.1nF @ 30V
輸入:	Standard
IGBT類型:	-
電流 - 集電極截止（最大）:	400µA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	114A
組態:	Half Bridge