SI4688DY-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
SI4688DY-T1-E3.pdf

我們可以提供SI4688DY-T1-E3，使用询價單來要求SI4688DY-T1-E3價格和交貨期.Zeano是一家專業的電子元件分銷商。擁有超过三百萬個可用電子元件的線路產品可以在短時間內交貨，超過250,000個庫存的電子元件可立即供貨，其中可能包括零件號SI4688DY-T1-E3。SI4688DY-T1-E3的價格和交付週期取決於數量要求.联系我們，如您有需要.我们期待著與您建立長期的合作關係

Request Quote

產品特性
用戶評論
支付
配送
包裝

VGS（TH）（最大）@標識:	3V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	8-SO
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	11 mOhm @ 12A, 10V
功率耗散（最大）:	1.4W (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1580pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	38nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	8.9A (Ta)