SI4933DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
SI4933DY-T1-GE3.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	1V @ 500µA
供應商設備封裝:	8-SO
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	14 mOhm @ 9.8A, 4.5V
功率 - 最大:	1.1W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	70nC @ 4.5V
FET型:	2 P-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	12V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	7.4A

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