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| 價格 | |
|---|---|
| 3000 | $0.244 |
| 6000 | $0.227 |
| 15000 | $0.218 |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | PowerPAK® ChipFet Single |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| 工作溫度: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 4300pF @ 10V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 120nC @ 8V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特點: | - |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）: | 1.8V, 4.5V |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 20V |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 25A (Tc) |
SI5415EDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
SI5419DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5406DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
SI5414DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
SI5410DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
SI5411EDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
SI5424DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
SI5406DP-TI-E3
SI5418DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5424DC-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
BTA425Y-800CTQ
TRIAC 800V 25A TO220AB
IMB4AT110
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
BC183
TRANS NPN 30V 0.1A TO-92
MPSA93
TRANS PNP 200V 0.5A TO-92
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
NTB25P06T4G
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
533502B02552G
BOARD LEVEL HEAT SINK
ATS-07F-09-C1-R0
HEATSINK 45X45X20MM XCUT
ATS-06G-146-C1-R0
HEATSINK 30X30X35MM L-TAB
ATS-08H-109-C1-R1
HEATSINK 54X40X9.5MM XCUT