SI7946DP-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
SI7946DP-T1-E3.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 250µA
供應商設備封裝:	PowerPAK® SO-8 Dual
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	150 mOhm @ 3.3A, 10V
功率 - 最大:	1.4W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	PowerPAK® SO-8 Dual
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	20nC @ 10V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	150V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	2.1A