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NSVDTA114EET1G

NSVDTA114EET1G
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購買流程

電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:250mV @ 300µA, 10mA
晶體管類型:PNP - Pre-Biased
供應商設備封裝:SC-75, SOT-416
系列:-
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆):10k
電阻 - 基(R 1)(歐姆):10k
功率 - 最大:200mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SC-75, SOT-416
安裝類型:Surface Mount
頻率 - 轉換:-
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:35 @ 5mA, 10V
電流 - 集電極截止(最大):500nA
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA


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如果是我們的,我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。
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