NSVMUN5331DW1T1G

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	250mV @ 5mA, 10mA
晶體管類型:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:	SC-88/SC70-6/SOT-363
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	2.2k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	2.2k
功率 - 最大:	250mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安裝類型:	Surface Mount
頻率 - 轉換:	-
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	8 @ 5mA, 10V
電流 - 集電極截止（最大）:	500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA

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