NTLGD3502NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
NTLGD3502NT1G.pdf

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VGS（TH）（最大）@標識:	2V @ 250µA
供應商設備封裝:	6-DFN (3x3)
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
功率 - 最大:	1.74W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	6-VDFN Exposed Pad
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	480pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	4nC @ 4.5V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	4.3A, 3.6A

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