ALD110904PAL

Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
無鉛/符合RoHS
分立半導體產品
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VGS（TH）（最大）@標識:	420mV @ 1µA
供應商設備封裝:	8-PDIP
系列:	EPAD®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	500 Ohm @ 4.4V
功率 - 最大:	500mW
封装:	Tube
封裝/箱體:	8-DIP (0.300", 7.62mm)
工作溫度:	0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	2.5pF @ 5V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	-
FET型:	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET特點:	Standard
漏極至源極電壓（Vdss）:	10.6V
電流 - 25°C連續排水（Id）:	12mA, 3mA

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如果是我們的，我們將在收到錯誤的組件退回後交付合適的交換商品。

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