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DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13
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VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-SOP
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:16 mOhm @ 11A, 20V
功率耗散(最大):2.5W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1614pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:35.4nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):5V, 20V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 25°C連續排水(Id):7.3A (Ta)


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