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DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7
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VGS(TH)(最大)@標識:1.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SOT-323
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.8 Ohm @ 250mA, 10V
功率耗散(最大):300mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SC-70, SOT-323
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:23.2pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:0.9nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):2.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 25°C連續排水(Id):380mA (Ta)


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