電壓 - 截止(VGS關閉)@標識: | 5V @ 10nA |
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電壓 - 擊穿(V(BR)GSS): | 30V |
供應商設備封裝: | TO-92-3 |
系列: | - |
電阻 - RDS(ON): | 85 Ohm |
功率 - 最大: | 350mW |
封装: | Tape & Box (TB) |
封裝/箱體: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
FET型: | P-Channel |
漏極至源極電壓(Vdss): | - |
電流 - 漏極(範圍Idss)@ Vds的(VGS = 0): | 20mA @ 15V |